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直流高压发生器常数

直流高压发生器常数
就可以求出地下均匀物质的直流高压发生器率ρ。另一方面,均匀介质的情况下,ρ是常数,则从(3-9式不难看出:如果保持K不变而改变I△V将成正比地增加或减少;如果改变K供给一定的电流I时就只能使△V发生相应的变化。也就是说,无论K或I什么值,根据测得的△V应用(3-9式计算ρ,均匀介质条件下都应当获得同样的结果。虽然导出了地下均匀介质的直流高压发生器率和电场的关系式,但是实际工作中地下介质却是不均匀的这时,如果我仍然采用AB两电极将电流I通到地下以建立电场,并测量MN两电极之间的电位差△V那么,利用(3-9式进行计算,还是可以求出一个“直流高压发生器率”值。绝缘发生器-大电流发生器参数 不过,并不是地下某一岩层或某种岩石或矿体的直流高压发生器率的值。而是和地下分布和各种地质体的直流高压发生器率有关的一个物理量。用符号ρs表示这个实际测量和计算的结果,并称之为“视直流高压发生器率”于是有:△Vρs=K3-10I应当指出,3-9式和(3-10式在等号右端的形式虽然相同,但在地下介质不是均匀各向同性的实际情况下,所测定的结果只能是视直流高压发生器率ρs显然,视直流高压发生器率的概念是由均匀介质中计算直流高压发生器率的公式引伸出来的这时由MN两电极所测出的电位差是受不均匀介质影响而发生了畸变的电流场。从这一点来看,视直流高压发生器率是借助于均匀介质中电场和直流高压发生器率的关系式来研究不均匀介质中电场和直流高压发生器率分布之间的关系的物理量。直流高压发生器率法就是以视直流高压发生器率的概念为基础,通过在地面上对电场的观测以了解地下不同直流高压发生器率的物质分布情况。必须明确,均匀介质的情况下,视直流高压发生器率和真直流高压发生器率是等值的无需加以区分;然而在不均匀介质的情况下,视直流高压发生器充是电场有效作用范围内某一介质真正的直流高压发生器率,而是其中各种介质对电场影响的综合结果。另外,视直流高压发生器率不仅与地下不同介质的直流高压发生器率及其分布情况有关,而且与装置的类型或大小(不同的类型或大小有不同的K值)以及测点的位置有关,因为后面的这些因素都可以改变地下电场的有效范围。为了便于说明视直流高压发生器率的物理实质,以及视直流高压发生器率和介质电性分布之间的关系,还可以推导出一个计算ρs近似公式如下:jMNρs=ρMN3-11j0式中jMN代表测量电极间的电流密度,ρMN代表它之间的介质的真直流高压发生器率,j0代表同样装置情况下介质均匀时测量电极之间的电流密度。由于j0代表 装置情况下介质均匀时测量电极之间的电流密度.由于j0对均匀介质条件而言,地壳中的岩石和矿石具有某些电学性质的差异,这些差异可以在分布于地表的电场或电磁场中反映出来.电法勘探就是利用不同的岩石之间或矿石与围岩之间的电性差异,借观测天然产生的或用人工方法建立的电场 或电磁场在地面的分布情况,以查明地质构造和有用矿产的一种物探方法.电法勘探本身种类繁多,这首先是因为岩石和矿石的电学性系数K时。只决定竽装置的类型和大小,因此对一定装置它可以认为是已知的.于是视直流高压发生器率ρs与MN之间电流密度或介质直流高压发生器率的变化。当然,电流的变化也是由介质直流高压发生器率分布的不同而引起的关于这个公式的实际应用,将在以后的讨论中进行。当电流通入地下后,按理说是可以达到任意深度的但从关系式Ij=来看,可以很容易理解,电流密度在地下的分布却是2πr2随深度增加而迅速减小的这就限制了直流高压发生器率法的勘探浓度。因为埋藏较深的岩石中所通过的电流密度很小时,即使它与上复岩层在直流高压发生器率方面有显著的差异,也很难使靠近地面的电流密度受到影响,所以在地面上测定的电位差也就不会受到影响。一般认为,分布在地下某一深度h处的电流密度jh与分布在两测量电极间的电流密度j0相比时,比值jh/j0必须达一定的大小,否则深度h处的物质分布就不能影响视直流高压发生器率ρs测定了怎样才能加大勘探深度?理论上可以证明:保持jh/j0为一定比值时,要使勘探深度与供电电极间的距离有关,供电电极距离愈大,勘探深度也愈深。根据理论计算和现代仪器的精度,地下介质导电条件较好时,勘探深度至多可以达到供电电极极距的一半。一般都比这个深度还要小一些。特别是当地下有直流高压发生器率非常大的绝缘层或直流高压发生器率较低的良导体存在时,都会防碍电流向深处分布,产生所谓的屏蔽作用。这种情况下,将使勘探深度大为减小。直流高压发生器率法是采用AB两电极供电,测量MN两电极间的电位差进行工作的并依照公式 △VMNρs=KI计算出各测点上的视直流高压发生器率。因而所使用的仪器,其具体任务就是能够准确地测得△VMN和供电电流I为了测定I一般在供电回路中串联一个标准直流高压发生器R0测出电流通过R0时所引起的电位降△V0然后按欧姆定律 △V0I=KR0就可以计算出电流强度I由此可见,用于直流高压发生器率法勘探的仪器主要就是测量电位差和的仪器,一般都采用根据补偿法原理设计的电位计。补偿法的实质在于用已知的可变的电位差抵偿质表现出在许多方面.例如,电法勘探中通常利用的有岩,矿石的导电性和电化学性质等.另外,电法勘探不仅可以利用地中存在着的天然电场或电磁场,而且可以用各种人工方法在地下建立起电场或电磁场,若就场本身的性质而言,可以将电法勘探分为两大类,即直流电法(勘探)和交流电法(勘探)为了说明电法勘探的实质,简单地谈一下几种直流电法是怎样与岩石和矿石的电性差异相联系的当地下有电流通过而建立了电流场时,导电性不同的岩石和矿石将影响电流场的分布。根据物理学中的知识,良导性(直流高压发生器率低)介质则对电流有“吸引”作用,导电性差(直流高压发生器率高)介质则有“排斥”作用。因此,当地下存在有导电性差的岩石时,由于它对电流的排斥”作用,使电流远离它本身而流过;而当地中有良导性的矿体存在时,将对电流起“吸引”作用,使大部分电流通过其本身。
表面电容式触摸屏由于使用同质感应层,相比较而言。屏幕上的所有触点信号混合在一个较大信号中,同质层已损坏太多信号,因此无法回报多点触点信息,即便是单端变异也不能区隔两个触点上的差异,更无法进行个别触点追踪;而两层式投射电容式触摸屏技术则可以分辨一个以上的接触点,当触点在屏幕上移动时,也能进行独立触点追踪,第三个感应层可以处理模糊不清的触点状态,但相对制作成本也会因此增加。
爱特梅尔的TwoTouch控制器IC能够追踪及报告一个或两个同时的触摸动作,以爱特梅尔公司 Atmel新近推出的QT5000系列标准TwoTouch双触摸点)触摸屏控制器及完整解决方案为例。分别为X和Y位置。常见的用户操作包括用手指轻击、双击、轻弹和拖曳,及以两个手指双触式的操作如放大、缩小和旋转,均可在触摸屏控制器中实现。这种方法可让设计人员集成广泛的用户接口功能如屏幕上图像的大小调整和旋转,以及使用两个手指操作以替代多层的程序表应用。除了触摸屏功能之外,工程师还可组合触摸按键和滚动装置来实现触摸屏应用,以增强其灵活性—这还可通过行业标准双线和I2C兼容接口由主处理器进行配置。
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